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Nanostructuration de surface par PACVD à la pression atmosphérique

 

L'auto-organisation de nano-plots de SiOx est réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par une post-décharge micro-onde fonctionnant à la pression atmosphérique à haute température (~1700 K) dans un mélange Ar-O2 avec injection d'hexamethyldisiloxane (HMDSO). L'auto-organisation du film est due  aux contraintes internes. Lorsque le dépôt devient suffisamment épais (~ 1μm) et pour une teneur relativement élevée en HMDSO, des nano-murs de SiOx forment des cellules hexagonales sur une sous-couche de SiOx. Pour des films épais (> 1 μm), des dépôts sous forme de gouttelettes sont élaborés, avec une distribution en épaisseur gaussienne. Les films sont soumis à de fortes contraintes internes qui, en se relaxant, conduisent à la formation de structures en nid ou en nano-ruban.

Exemple de nanostructures en "nid" de SiOx déposées sur de l'acier inoxydable 316L pour différentes teneurs en HMDSO injecté en aval d'un jet de plasma