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Catégorie : Soutenances de thèse et de HDR

Mercredi 15 mai 2019 : Soutenance de thèse de Claudia DE MELO-SANCHEZ : Croissance sélective de Cu2O et Cu métallique par dépôt par couche atomique sur ZnO et leur application en optoélectronique

Claudia DE MELO-SANCHEZ Doctorante au sein de l'équipe "Propriétés Optiques et Electriques des couches Minces pour l’Energie" (POEME) de l'Institut Jean Lamour, soutient sa thèse intitulée :

" Croissance sélective de Cu2O et Cu métallique par dépôt par couche atomique sur ZnO et leur application en optoélectronique "

 

Date et lieu :
Mercredi 15 mai 2019 à 10h00
Campus Artem, Nancy
Amphithéâtre 200

 

Composition du jury :

Directeur de thèse :

- David HORWAT
Institut Jean Lamour, Université de Lorraine, Nancy

Co-directeurs de thèse :

- Maud JULLIEN
Institut Jean Lamour, Université de Lorraine, Nancy

- Frank MÜCKLICH
Lehrstuhl für Funktionswerkstoffe, Universität des Saarlandes, Saarbrücken

Examinateurs:

- Nathanaelle SCHNEIDER
Institut Photovoltaïque d'Ile-de-France (IPVF)/CNRS, Région de Paris

- Fabrice GOURBILLEAU
Centre de recherche sur les Ions, les Matériaux et la Photonique (CIMAP), Caen

- Christian MOTZ
Lehrstuhl für Experimentelle Methodik der Werkstoffwissenschaften, Universität des Saarlandes, Saarbrücken

Rapporteurs:

- David MUÑOZ-ROJAS
Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (LMGP, CNRS/Grenoble INP), Grenoble

- Naoufal BAHLAWANE
Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST), Luxembourg

 

Résumé :
Dans ce travail, après l’état de l’art et la présentation de méthodes de synthèse et d’analyse, nous présentons des résultats sur la croissance sélective de Cu2O et Cu métallique par dépôt par couche atomique (ALD) sur ZnO, ZnO dopé à l’Al (AZO) et α-Al2O3. Nous mettons en évidence la possibilité de déposer de façon sélective Cu métallique ou Cu2O, en contrôlant la température de dépôt et la conductivité ou la densité des défauts ponctuels au sein du substrat. Un procédé sélectif local de dépôt par couche atomique (AS-ALD) a été mis en évidence sur une bicouche à motifs composée de zones de ZnO de faible conductivité et de régions d’AZO de forte conductivité. De plus, l'AS-ALD permet la fabrication de nano-jonctions à base de Cu2O/ZnO /AZO/Cu, dont le comportement de jonction p-n a été confirmé par microscopie à force atomique à pointe conductrice (C-AFM). Les mécanismes liés à la croissance sélective locale sont également discutés. Dans la seconde partie de cette thèse, des nanoparticules de Cu (NP) ont été déposées par ALD sur des couches minces de ZnO. Les NP de Cu présentent une résonance plasmon de surface localisée caractérisée par ellipsométrie. La position de la bande de résonance plasmon est ajustable entre les régions visible et infrarouge du spectre électromagnétique en gérant la taille des particules et leur espacement par l’intermédiaire du temps de dépôt. Le système Cu NP/ZnO montre une photo-réponse dans le visible grâce à la génération d'électrons chauds à la surface des NP de Cu et l'injection dans la bande de conduction de ZnO. Finalement, des hétérojonctions Cu2O/ZnO semi-transparentes ont été fabriquées par ALD et pulvérisation cathodique. Les hétérojonctions présentent une photo-réponse autoalimentée sous éclairement, des temps de réponse rapides et une transparence élevée dans le visible, ce qui est prometteur pour des applications dans les domaines de l’électronique transparente, la photo-détection et le photovoltaïque.

Mots-clés : oxyde de cuivre, dépôt sélectif local par couche atomique, nanoparticules de cuivre, résonance plasmon de surface localisée, jonctions p-n

Abstract :
In this work we present the results on the selective growth of Cu2O and metallic Cu by atomic layer deposition (ALD) on ZnO, Al-doped ZnO (AZO) and α-Al2O3 substrates. It was possible to tune the deposited material (Cu or Cu2O) by controlling the deposition temperature, and the substrate conductivity/density of donor defects. An area-selective atomic layer deposition (AS-ALD) process was demonstrated on a patterned bi-layer structure composed of low-conductive ZnO, and highly-conductive AZO regions. Furthermore, the AS-ALD allows the fabrication of Cu2O/ZnO/AZO/Cu-back-electrode nanojunctions, as confirmed by conductive atomic force microscopy (C-AFM). The mechanism behind the temperature and spatial selectivities is discussed. In a second part of this thesis, Cu nanoparticles (NP) were deposited by ALD on ZnO thin films. The Cu NP exhibit a localized surface plasmon resonance, tunable from the visible to the near-infrared regions, as confirmed by spectroscopic ellipsometry. An enhanced visible photo-response was observed in the Cu NP/ZnO device thanks to the hot-electron generation at the surface of the plasmonic Cu NP and transfer into the conduction band of ZnO. Finally, semi-transparent Cu2O/ZnO heterojunctions were fabricated by ALD and reactive magnetron sputtering. The heterojunctions present a stable self-powered photo-response under 1 Sun illumination, fast response times and high transparency in the visible region, which is promising for all-oxide transparent electronics, photodetection and photovoltaics.

Keywords : copper oxide, area-selective atomic layer deposition, copper nanoparticles, localized surface plasmon resonance, p-n junctions