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Category: Evénements scientifiques

Jeudi 26 février 2015 : séminaire de Geoffroy Prévot (INSP) : "Films ultra-minces de silicium sur Ag. Est-ce du silicène?"

L'équipe de l'Institut Jean Lamour en charge de la priorité scientifique Matériaux Artificiels Nanostructurés, accueille Geoffroy Prévot, de l'Institut des NanoSciences de Paris (INSP) pour un séminaire intitulé :


"Films ultra-minces de silicium sur Ag. Est-ce du silicène?"

 

Date et lieu :

Jeudi 26 février 2015 à 14h
Institut Jean Lamour
Faculté des Sciences et Technologies de Vandoeuvre
Salle de séminaire (entrée 2A, 4ème étage)

 

Résumé :
Depuis les premières prédictions théoriques sur l'existence du silicène, c'est-à-direl'équivalent du graphène pour le silicium, différents groupes de recherche ontannoncé avoir réalisé la synthèse du silicène. En particulier, des monocouches de Siépitaxiées sur Ag, Ir, ZrB2 et Au ont été décrites comme un arrangement hexagonald'atomes de Si. En parallèle d'études structurales obtenues par microscopie à effettunnel (STM), des expériences de photoémission résolue en angle (ARPES) sur desfilms de Si/Ag(110) et Si/Ag(111) ont mis en évidence des structures similaires auxcônes de Dirac observés pour le graphène. Toutefois, nombre d'observationsexpérimentales ont été récemment remises en doute. En particulier, les travauxthéoriques du groupe de F. Bechstedt montrent que les structures observées enARPES proviendraient du substrat d'Ag et non du Si. La structure des films obtenussur Ag est aussi fortement débattue. Par STM, diffraction de rayons X sousincidence rasante, spectrométrie Auger, diffraction d'électrons lents, réflectivitédifférentielle de surface, nous avons suivi in situ et en temps réel la croissance de Sisur Ag(110) et Ag(111). Nous montrons en particulier que l'adsorption de Si surAg(110) conduit à une reconstruction du substrat, signe d'une forte interaction entreSi et Ag, et à une structure différente du nid d'abeille attendu. Sur Ag(111), nousmontrons qu'à température ambiante et au delà, les atomes de Si s'insèrent dans leplan de surface en remplacement des Ag. Une partie des Ag expulsés rejoint lesbords de marche, mais 1/3 reste présent dans la structure du "silicène". L'Ag restantjoue un rôle de surfactant dans la croissance de couches plus épaisses, dont lastructure est celle du Si massif, et non une multicouche de silicène.

 

 

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