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Bias dependence of tunneling magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with asymmetric barriers
Journal of Physics Condensed Matter,
25(49)
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics,
88(20)
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics,
88(10)
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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Applied Physics Letters,
103(7)
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics,
88(5)
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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Journal of Materials Chemistry C,
1(42):6930-6934
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics,
87(21)
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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New Journal of Chemistry,
37(3):790-795
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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IEEE Transactions on Magnetics,
49(7):4347-4350
2013
Equipe: Département P2M : Nanomagnétisme et Electronique de Spin |
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Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics,
88(10)
2013
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