La Spectroscopie de Masse d’Ions Secondaires (SIMS) est une technique d’analyse physico-chimique de l'extrême surface. Elle est basée sur la détection des ions secondaires produits sous l'effet d'un bombardement d'ions primaires incidents.
L'impact d'un ion ou d'une molécule possédant une énergie de quelques keV produit l'émission de rayonnement et de particules de différentes natures : des photons, des électrons secondaires, des particules neutres (atomes et molécules), des ions secondaires positifs et négatifs caractéristiques de l'échantillon.
Ces derniers sont extraits et analysés dans un spectromètre de masse.
Ions primaires O2+, O-, Cs+ |
Diamètre du faisceau primaire |
O2+: 0.3 µm à 200 µm |
Energie des ions primaires (énergie d’impact) |
O2+ & ions secondaires positifs : 500 eV à 15 KeV |
Résolution en masse M/DM de 300 à 25 000 (10%-90 %) |
Spectromètre de masse |
de 1 à 230 à 10 KV de 1 à 460 à 15 KV |
Fabricant : www.cameca.com/
Tutorial : www.eaglabs.com/mc/sims-theory.html
ToF-SIMS: www.phi.com/surface-analysis-techniques/tof-sims.html
Workshop : www.simsworkshop.org