[Article] Maniplation du spin électronique aux basses énergies
Des chercheurs d'un consortium réunissant l'IJL (Nancy, France), l'IPCMS (Strasbourg, France) et le C4S (Cluj, Roumanie) ont réussi à manipuler le spin électronique à l'intérieur d'une couche magnétique très fine. Pour ce faire, ils ont utilisé un laboratoire sur puce intégrant un transistor magnétique à effet tunnel. Cette découverte pourrait déboucher sur de nouveaux dispositifs utilisant l'effet de précession du spin présenté dans leur article.
Ce travail a été partiellement soutenu par le plan d'investissement gouvernemental France 2030 géré par l'Agence nationale de la recherche française sous la référence de la subvention PEPR SPIN -MAT ANR-22-EXSP-0007.
Auteurs :
Valentin Desbuis, Daniel Lacour, Coriolan Tiusan, Wolfgang Weber, and Michel Hehn
Références de l’article :
Ann. Phys. (2024), 2400226
DOI :