2019 - DONNA (Doping at the Nanoscale)

DONNA est un projet de recherche fondamentale visant la conception d'assemblages complexes et fonctionnels de nano-objets dopés.
Le silicium a été choisi, car son dopage dans le matériau massif est parfaitement maîtrisé et sa compatibilité avec la technologie CMOS favorise son utilisation pour de futures applications.
Des méthodes originales de fabrication de nano-objets mettant en œuvre des dépôts multicouches sous ultravide et des implantations à basse énergie associés à des traitements thermiques hors équilibre seront mises en œuvre. La localisation des dopants à l’échelle nanométrique sera analysée à l’aide d’outils de caractérisation à l’état de l’art.
Du fait de leurs propriétés d’absorption ou d’émission optique, les nanocristaux semi-conducteurs jouent un rôle de plus en plus important, notamment dans les domaines de l’optique, de l’optoélectronique et de l’énergie.
Si la croissance et les propriétés de tels objets intrinsèques sont aujourd’hui bien maîtrisées, le dopage à l’échelle nanométrique est à ce jour très mal connu et reste un challenge et un enjeu majeur pour leur utilisation dans de nombreuses applications.
En élaborant des systèmes modèles, le projet DONNA vise à comprendre et maîtriser l’insertion et l’activation des dopants à l’échelle nanométrique.