2019 - MISSION (Magnetoelectric oxides for spin-Orbitronics (Oxydes magnétoélectriques pour la SpinOrbitronique)

L’objectif de ce projet est de combiner l'effet magnéto-électrique et le couple de spin-orbite dans des hétéro-structures. La finalité est de réduire la consommation d'énergie liée aux applications dans la commutation de l’aimantation, comme pour les mémoires MRAM.
On s'attend à ce que le couple efficace en orbite de spin dans l'oxyde magnéto-électrique (ME) Ga2-xFexO3 soit modifié par l'application d'une tension de grille. Grâce à cette modulation basée l’effet ME, l'inversion de l'aimantation de la couche ferromagnétique (FM) induite par l’effet Hall de spin pourrait nécessiter l'injection d'un courant électrique moins intense.
Cette étude sur les interfaces "métaux à fort couplage spin-orbite"/ "oxyde magnéto-électrique" devrait apporter de nombreux avantages, du progrès des connaissances fondamentales aux applications liées à la faible consommation énergétique basée sur les effets du spin-orbite.