[article] L’art de façonner la structure de bandes électroniques des semi-conducteurs
Résumé
Dans ces travaux menés en collaboration avec l’Université AGH de Cracovie (Pologne), nous avons montré comment il est possible de tirer parti de l’interaction entre un niveau résonant et la convergence de bandes électroniques, deux mécanismes qui modifient la structure de bandes des semi-conducteurs, pour améliorer significativement les propriétés thermoélectriques du composé binaire SnTe. Ces deux mécanismes, induis par l’introduction simultanée de In et de Mn, conduisent à une forte augmentation du facteur de mérite ZT à haute température avec une valeur maximale de 1,3 à 850 K.
Auteurs
Shantanu Misra, Bartlomiej Wiendlocha, Soufiane El Oualid, Anne Dauscher, Bertrand Lenoir, Christophe Candolfi
Références
Journal of Materials Chemistry A
DOI
