[Article] L’art du contrôle des défauts dans les semi-conducteurs
Résumé
Dans ces travaux de l’équipe 204, menés en collaboration avec l’Institut de Physique de Prague (République Tchèque), nous avons montré comment la chimie des défauts dans le semi-conducteur binaire InTe pouvait être contrôlée par des recuits de saturation réalisés à haute température. La concentration de lacunes d’In a un impact direct sur les performances thermoélectriques de ce composé qui présente une conductivité thermique extrêmement faible de seulement 0,3 W m-1 K-1 au-delà de 300 K. Cette technique est une méthode de choix pour contrôler la nature et la concentration des défauts dans les semi-conducteurs, sonder les écarts maximums à la stœchiométrie idéale et assurer la reproductibilité des résultats.
Auteurs
Shantanu Misra, Petr Levinsky, Jiri Hejtmanek, Christophe Candolfi, Bertrand Lenoir
Nom de la revue
ACS Applied Energy Materials
DOI